Cat-CVD as a New Fabrication Technology of Semiconductor Devices

ABSTRACT

Cat-CVD, oftcn called Hot-Wirc CVD. is a new mcthod to obtain dcvicc quality thin films at IOW substratc temperatures. Ln the method, gas molecules are decomposed by catalytic cracking reactions on heated catalyzerplaced near substrates, instead of plasma deconiposition in the conventional plasma enhanced CVD (PECVDj. This paper is to review this C a t 4 3 9 fiom fundamental mechanisms to device application. The features of Cat-CVD are demonstrated with comparison of PECVD.

دانلود رایگات مقاله انگلیسی                           431.42 KB

مقدمه
Cat-CVD، که گاها، Hot-Wire CVD نامیده میشود، روش جدیدی برای بدست آوردن نوارهای های نازکی از وسایل، با کیفیت بالا در بستر دمای پایینتر است. در روش Cat-CVD ، به جای تجزیه پلاسما، مولکولهای گاز توسط واکنش های کاتالیزوری کراکینگ، بر روی بستر کاتالیزوری گرم شده، تجزیه میشوند. این مقاله به بررسی روش Cat-CVD، که از مکانیزم های اساسی برای کاربرد دستگاه است، میپردازد. در انتها، ویژگی های Cat-CVD، در مقایسه با PECVD، نشان داده میشود.

تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 6 صفحه
تعداد صفحات مقاله فارسی: 11 صفحه
نوع فایل: ورد