3D Modeling based on Current Continuity for STM Carrier Profiling of Semiconductor Devices

 

Abstract

Current continuity based 3D modeling of STM carrier profiling of semiconductor devices is achieved for the first time. Tunnel currents between probe tip and devices are solved consistently with current continuity consideration. It is revealed that tunnel current is reduced in current continuity model under depletion conditions. Spatial resolution achieved in the model is discussed in comparison to potential based modeling. Influence of discrete dopants is also discussed in concern with Coulomb potential fluctuations in nanoscale systems, which is a key issue of nano devices.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی                   1.15 MB

 

چکیده

مدل¬سازی سه بعدی فعلی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاه¬های نیمه هادی برای اولین بار امکان پذیر شده است. جریان تونل بین میله پتانسیل و تجهیزات، به طور مداوم با در نظر گرفتن تداوم جریان حل می¬شود. کاملا آشکار است که جریان تونل در مدل پیوستگی جریان،  تحت شرایط تخلیه کاهش می یابد. مقدار دقت به دست آمده در این مدل با مدلسازی مبتنی بر پتانسیل مقایسه میشود. علاوه بر این تاثیر دوپینگ  گسسته در نوسانات پتانسیل کولن در سیستم¬هایی با مقیاس نانو مورد مطالعه قرار می¬گیرد، که مشکل کلیدی در تجهیزات نانو است.

 

تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 4 صفحه

تعداد صفحات مقاله فارسی: 9 صفحه

نوع فایل: ورد

 

مدل سازی سه بعدی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاههای نیمه هادی

اضافه کردن نظر