بترکه چشم حسود    

جستجوی پیشرفته مقالات

     عنوان:

نماد اعتماد الکترونیکی

لیست مقالات ترجمه شده

سایر مقالات

امروز
دیروز
هفته جاری
هفته گذشته
ماه جاری
ماه گذشته
بازدید کل
8657
23099
116690
16404402
508134
496149
16897269

آی‌پی شما: 54.224.100.102
امروز: جمعه، 10 فروردين 1403 شمسی ساعت به وقت گرینویچ: 12:01:21

 

 

توجه                           توجه

تمامی مقالات ترجمه شده در قالب فایل ورد (Word)  ارائه می‌شوند.


       دسته‌بندی: مقالات الکترونیک       فروش: 0 بازدید: 7799
مدار نورون سیلیکون متراکم با رفتار اسپایک و انفجار
    قیمت محصول: 260000 ریال



Compact silicon neuron circuit with spiking and bursting behaviour

Abstract

A silicon neuron circuit that produces spiking and bursting firing patterns, with biologically plausible spike shape, is presented. The circuit mimics the behaviour of known classes of cortical neurons: regular spiking (RS), fast spiking (FS), chattering (CH) and intrinsic bursting (IB). The paper describes the operation of the circuit, provides simulation results, a simplified analytical model, and a phase-plane analysis of its behaviour. The functionality of the circuit has been verified experimentally. The paper introduces a proof-of-concept analogue integrated circuit, implemented in a 0.35 μm CMOS technology, and presents preliminary measurement results. The neuron cell provides an area and energy efficient implementation of the silicon cortical neuron, and could be used as a universal neuron circuit in VLSI neuromorphic networks that closely resemble the circuits of the cortex.

 

pdfدانلود رایگان مقاله انگلیسی           4.1 MB

 

چکیده
مدار نورون سیلیکونی که الگوهای شلیک اسپایکی و انفجاری با شکل اسپایک محتمل از نظر بیولوژیکی تولید می کند، ارائه می شود. مدار، رفتار انواع مشخص نورون های غشایی را تقلید می کند: اسپایک منظم (RS)، اسپایک سریع (FS)، ضربه زدن (CH) و انفجار درونی (IB). این مقاله به توصیف عملکرد مدار پرداخته، نتایج شبیه سازی، مدل تحلیلی ساده و آنالیز سطح فاز رفتارش را توصیف می کند. عملکرد مدار از نظر تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. این مقاله یک مدار مجتمع آنالوگ قطعی معرفی می کند که این مدار در تکنولوژی 0.35 μm CMOS پیاده سازی شده است و نتایج اندازه گیری مقدماتی را ارائه می کند. سلول نورون یک پیاده سازی موثر سطح و انرژی از نورون غشایی سیلیکون ارائه می کند و می تواند بعنوان مدار نورون جامع در شبکه های نورومورفیک VLSI مورد استفاده قرار گیرد که شباهت زیادی با مدارهای غشا دارد.

 

تعداد صفحات مقاله انگلیسی:11 صفحه
تعداد صفحات مقاله فارسی: 23 صفحه
نوع فایل: ورد


لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از پرداخت آنلاین فعال می‌شود