بترکه چشم حسود    

جستجوی پیشرفته مقالات

     عنوان:

نماد اعتماد الکترونیکی

لیست مقالات ترجمه شده

سایر مقالات

امروز
دیروز
هفته جاری
هفته گذشته
ماه جاری
ماه گذشته
بازدید کل
14995
36285
99929
16404402
491373
496149
16880508

آی‌پی شما: 18.212.87.137
امروز: پنج شنبه، 09 فروردين 1403 شمسی ساعت به وقت گرینویچ: 13:01:48

 

 

توجه                           توجه

تمامی مقالات ترجمه شده در قالب فایل ورد (Word)  ارائه می‌شوند.


       دسته‌بندی: مقالات الکترونیک       فروش: 0 بازدید: 4604
طراحی فرستنده و گیرنده مجتمع اپتو الکترونیک POF
    قیمت محصول: 160000 ریال



Design of POF Optoelectronic Integrated Transmitter and Receiver

 

 Abstract

 

The design of optoelectronic integrated transmitter and receiver for plastic optical fiber(POF) communication applications realized in 0.5μm BCD (Biplor, CMOS and DMOS) process is presented in the report. The hybrid on-chip integrated transmitter includes a driver with temperature compensation of modulation current and a bonded 650nm resonant cavity light emitting diode (RCLED). In the monolithic optoelectronic integrated receiver, large area multi-finger PIN photodetector(PD) that is compatible with standard IC process, transimpedance amplifier and post amplifier are presented. Equivalent circuit Spice models of optoelectronic devices (RCLED and PD) are built for more perfect co-design of optoelectronic integrated circuits (OEIC). The simulation results show that the transmitter operates at 250Mbps with modulation current of 33mA, providing the maximal optical power of -1.5dBm. In receiver, the gain of 86 dB and -3dB bandwidth of 370MHz are achieved. These indicate that optoelectronic integrated chips can be employed in 100 Mbps high-speed POF-based Fast Ethernet systems for broadband access network applications. 

Keywords-Plastic Optical Fiber Communication (POF Communication; Optoelectronic Integrated Circuit (OEIC);Optical Transmitter; Optical Receiver

 

pdf دانلود رایگان مقاله انگلیسی675.46 KB

 

چکیده
در این گزارش طراحی فرستنده و گیرنده مجتمع اپتو الکترونیک، برای کاربرد های ارتباطات فیبر نوری پلاستیکی(شکل پذیر) (POF) تحقق یافته در فرآیند BCD ( دو قطبی، CMOS و DMOS ) نیم میکرو متری، ارائه می¬شود. فرستنده مجتمع هیبریدی روی تراشه، شامل یک محرک با مدار جبران دمای جریان مدلاسیون دیود ساتع کننده نور کاواک، و با تشدید 650 نانومتر محدود است(RCLED). در گیرنده¬های مجتمع اپتو الکترونیک یکپارچه ، فتو دیتکتور PIN چند پایه با سطح بزرگ، که با فرآیند IC استاندارد سازگار است، در امپلی فایر post ارائه می¬شود. مدل مدار معادل Spice برای تجهیزات اپتو الکترونیک(RCLED and PD) برای بسیاری از طراحی¬های کامل مدارهای اپتو الکترونیک مجتع ساخته شده اند(OEIC). نتایج شبیه¬سازی نشان می¬دهد، که عملکرد فرستنده در 250Mbps با مدلاسیون جریان 33mA ، بیشترین توان نوری را ارائه می¬دهد. (حدود 1.5dBm) و در هر گیرنده، مقدار گین 3dB و 86 dB و پهنای باند 370MHz بدست می¬آید. این موضوع نشان می دهد که چیپ های مجتمع اپتو الکترونیک را میتوان در صد مگابایت بر ثانیه با بیشترین سرعت بر مبنای POF در برنامه های کاربردی شبکه های سریع، با پهنای بالا به کار برد.
کلمات کلیدی: ارتباطات فیبر نوری(POF) مدارها مجتمع اپتوالکترونیک(OEIC)، فرستنده نوری، گیرنده نوری.

 

 تعداد صفحات مقاله انگلیسی:  4   صفحه

 تعداد صفحات فارسی مقاله ترجمه شده :   11  صفحه

 قالب بندی فایل: فایل ورد (Word)

Abstract—The design of optoelectronic integrated transmitter and receiver for plastic optical fiber(POF) communication applications realized in 0.5μm BCD (Biplor, CMOS and DMOS) process is presented in the report. The hybrid on-chip integrated transmitter includes a driver with temperature compensation of modulation current and a bonded 650nm resonant cavity light emitting diode (RCLED). In the monolithic optoelectronic integrated receiver, large area multi-finger PIN photodetector(PD) that is compatible with standard IC process, transimpedance amplifier and post amplifier are presented. Equivalent circuit Spice models of optoelectronic devices (RCLED and PD) are built for more perfect co-design of optoelectronic integrated circuits (OEIC). The simulation results show that the transmitter operates at 250Mbps with modulation current of 33mA, providing the maximal optical power of -1.5dBm. In receiver, the gain of 86 dB and -3dB bandwidth of 370MHz are achieved. These indicate that optoelectronic integrated chips can be employed in 100 Mbps high-speed POF-based Fast Ethernet systems for broadband access network applications.

Keywords-Plastic Optical Fiber Communication (POF Communication; Optoelectronic Integrated Circuit (OEIC);Optical Transmitter; Optical Receiver


لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از پرداخت آنلاین فعال می‌شود