Design of POF Optoelectronic Integrated Transmitter and Receiver

 

Abstract

The design of optoelectronic integrated transmitter and receiver for plastic optical fiber(POF) communication applications realized in 0.5μm BCD (Biplor, CMOS and DMOS) process is presented in the report. The hybrid on-chip integrated transmitter includes a driver with temperature compensation of modulation current and a bonded 650nm resonant cavity light emitting diode (RCLED). In the monolithic optoelectronic integrated receiver, large area multi-finger PIN photodetector(PD) that is compatible with standard IC process, transimpedance amplifier and post amplifier are presented. Equivalent circuit Spice models of optoelectronic devices (RCLED and PD) are built for more perfect co-design of optoelectronic integrated circuits (OEIC). The simulation results show that the transmitter operates at 250Mbps with modulation current of 33mA, providing the maximal optical power of -1.5dBm. In receiver, the gain of 86 dB and -3dB bandwidth of 370MHz are achieved. These indicate that optoelectronic integrated chips can be employed in 100 Mbps high-speed POF-based Fast Ethernet systems for broadband access network applications.

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی                    675.46 KB

 

چکیده
در این گزارش طراحی فرستنده و گیرنده مجتمع اپتو الکترونیک، برای کاربرد های ارتباطات فیبر نوری پلاستیکی(شکل پذیر) (POF) تحقق یافته در فرآیند BCD ( دو قطبی، CMOS و DMOS ) نیم میکرو متری، ارائه می¬شود. فرستنده مجتمع هیبریدی روی تراشه، شامل یک محرک با مدار جبران دمای جریان مدلاسیون دیود ساتع کننده نور کاواک، و با تشدید 650نانومتر محدود است(RCLED). در، گیرنده¬های مجتمع اپتو الکترونیک یکپارچه ، فتو دیتکتور PIN چند پایه با سطح بزرگ، که با فرآیند IC استاندارد سازگار است، در امپلی فایر post ارائه می¬شود. مدل مدار معادل Spice برای تجهیزات اپتو الکترونیک(RCLED and PD) برای بسیاری از طراحی¬های کامل مدارهای اپتو الکترونیک مجتع ساخته شده اند(OEIC). نتایج شبیه¬سازی نشان می¬دهد، که عملکرد فرستنده در 250Mbps با مدلاسیون جریان 33mA ، بیشترین توان نوری را ارائه می¬دهد. (حدود 1.5dBm) و در هر گیرنده، مقدار گین 3dB و 86 dB و پهنای باند 370MHz بدست می¬آید. این موضوع نشان می دهد که چیپ های مجتمع اپتو الکترونیک را میتوان در صد مگابایت بر ثانیه با بیشترین سرعت بر مبنای POF در برنامه های کاربردی شبکه های سریع، با پهنای بالا به کار برد.
کلمات کلیدی: ارتباطات فیبر نوری(POF) مدارها مجتمع اپتوالکترونیک(OEIC)، فرستنده نوری، گیرنده نوری.

 

تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 4 صفحه
تعداد صفحات مقاله فارسی: 11 صفحه
نوع فایل: ورد

اضافه کردن نظر