Visualization of Crystalline Defects in Silicon, a Cause of Electrical Leakage in Semiconductor Devices

Abstract

Detection of electrical leakage in semiconductor devices indicates presence of electrical paths between junctions of p-doped and n-doped silicon. If no other physical abnormality is observed. This paper describes the use of advanced failure analysis tools to precisely locate and visualize crystalline defects in silicon that have caused electrical failure.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی                   845.02 KB

چکیده

آشکارسازی نشت الکتریکی در تجهیزات نمیه رساناها، نشان دهنده¬ی وجود مسیر های الکتریکی بین پیوندگاه P- دوپه شده و N- دوپه شده سیلیکونی است. به شرطی که هیچ ناهنجاری فیزکی دیگری مشاهده نشود. این مقاله استفاده از  ابزارهای تحلیل خطا  برای شناسایی دقیق و به تصویر کشیدن خطاهای کریستالی در سیلیکون، که به علت خطاهای الکتریکی ایجاد می¬شوند را توضیح میدهد.

تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 4 صفحه

تعداد صفحات مقاله فارسی: 9 صفحه

نوع فایل: ورد