بترکه چشم حسود    

جستجوی پیشرفته مقالات

     عنوان:

نماد اعتماد الکترونیکی

لیست مقالات ترجمه شده

سایر مقالات

امروز
دیروز
هفته جاری
هفته گذشته
ماه جاری
ماه گذشته
بازدید کل
12828
36285
97762
16404402
489206
496149
16878341

آی‌پی شما: 44.220.131.93
امروز: پنج شنبه، 09 فروردين 1403 شمسی ساعت به وقت گرینویچ: 11:01:36

 

 

توجه                           توجه

تمامی مقالات ترجمه شده در قالب فایل ورد (Word)  ارائه می‌شوند.



مروری بر دستگاه های نیمه رسانای توان نوارممنوعه گسترده

لینک دانلود فایل خریداری شده، بلافاصله بعد از پرداخت آنلاین فعال می‌شود.

عنوان محصول:
مروری بر دستگاه های نیمه رسانای توان نوارممنوعه گسترده



قیمت: 120000 ریال

  دسته‌بندی: مقالات الکترونیک

 

A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Abstract

Wide bandgap semiconductors show superior material properties enabling potential power device operation at higher temperatures, voltages, and switching speeds than current Si technology. As a result, a new generation of power devices is being developed for power converter applications in which traditional Si power devices show limited operation. The use of these new power semiconductor devices will allow both an important improvement in the performance of existing power converters and the development of new power converters, accounting for an increase in the efficiency of the electric energy transformations and a more rational use of the electric energy. At present, SiC and GaN are the more promising semiconductor materials for these new power devices as a consequence of their outstanding properties, commercial availability of starting material, and maturity of their technological processes. This paper presents a review of recent progresses in the development of SiC- and GaN-based power semiconductor devices together with an overall view of the state of the art of this new device generation. 2014

 

pdfدانلود رایگان مقاله انگلیسی               624.54 KB

 

چکیده
نیمه رساناهای نوارممنوعه ی گسترده، ویژگی های ماده ی برتری را نشان می دهند که امکان عملکرد دستگاه با توان بالقوه را در دماها، ولتاژها و سرعت های سوییچینگ بالاتر از تکنولوژی Si موجود فراهم می سازند. در نتیجه، نسل جدید دستگاه های توان برای کاربردهای مبدل توان توسعه می یابد که در آنها دستگاه های توان Si سابق، عملکرد محدودی نشان می دهند. استفاده از این دستگاه های نیمه رسانای توان جدید امکان هر دو بهبود مهم در کارایی مبدل های توان موجود و توسعه ی مبدل های توان جدید را با در نظر گرفتن افزایش در کارایی تبدیلات انرژی الکتریکی و کاربرد منطقی تر انرژی الکتریکی را فراهم خواهد ساخت. امروزه، SiC و GaN مواد نیمه رسانای امیدبخش تری برای این دستگاه های توان جدید در نتیجه ی ویژگی های برجسته شان، دسترس پذیری تجاری ماده ی آغازگر و سررسید فرایندهای فنی شان می باشند. این مقاله، مروری بر پیشرفت های اخیر در توسعه ی دستگاه های نیمه رسانای توان مبتنی بر SiC و GaN با نمای کلی وضعیت این نسل دستگاه جدید ارائه می کند.

 

تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 9 صفحه
تعداد صفحات مقاله فارسی: 14 صفحه

 

اضافه کردن نظر